ワイドギャップ半導体学会(WideG) 会員の皆さま:
橋詰 保先生は、本年4月8日に急なご病気の悪化で享年69歳にて逝去されました。
長年にわたり半導体材料や量子構造デバイスの研究に多大な貢献をされ、数々の優れた成果を残されました。特にGaN系デバイスの界面特性の解明や高性能トランジスタの開発において、その先駆的な業績は国内外で高く評価されています。
先生のご功績とご指導に感謝し、心よりご冥福をお祈りいたします。
WideG会長 三宅秀人(三重大学)
近年のLED固体照明革命、IoT (Internet of Things)革命、第5世代移動通信システム(5G)、車の自動運転や電動化、ウェアラブル情報機器開発、スマートグリッドなど、人類社会は光・エレクトロニクスを中心とする大きな変革期を迎えており、今後、さらなる高性能化と新機能の創出が要求されている。一般社団法人ワイドギャップ半導体学会(WideG)は、日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」における活動を継承し、さらに発展させるために設立された産・官・学の会員から構成される組織である。すなわち、ワイドバンドギャップ半導体の優れた物性の特徴を活かし、紫外から赤外までの発光ダイオード・レーザダイオードなどの発光デバイス、及び超高速・大電力・超省電力な電子デバイスなど、近未来の情報・通信・エネルギーに関連する光・電子デバイスの研究開発を促進と社会実装、それらの研究の振興を目的としている。本研究会では、このような目的に繋がる研究開発の推進と産業支援、将来を担う若手研究者・技術者の育成を推進する。
2025/5/16(京都・ハイブリッド)半導体開発への計算科学活用
2025/7/25(大阪・ハイブリッド)パワーデバイス
2025/10/2-3(岡山・ハイブリッド)ウルトラワイドバンドギャップ
2025/12/18-19(四日市(予定)・ハイブリッド)光・電子デバイスにおける熱問題、劣化問題、加工技術、宇宙デバイスなど
2026/3/6(オンライン)窒化物半導体への異種元素(Sc, Bなど)導入による新機能デバイス開発
2026/5/15(東京・ハイブリッド)高出力レーザー技術(半導体レーザー、高出力レーザーの新展開、核融合まで)