研究会プログラム
第19回（2024.12.12-13）金沢商工会議所（ハイブリッド開催）
スタートアップ・ベンチャーの最新技術動向
12 月12 日（木）
開会、会長挨拶、企画趣旨説明
「ダイヤモンド半導体の耐環境エレクトロニクス応用」大熊ダイヤモンドデバイス株式会社 取締役CTO 梅澤 仁 氏
「ニオイセンサの歴史と、社会実装に向けたベンチャーの役割」Qception 取締役CTO 吉川 元起 氏
「ダイヤモンド半導体技術から宝飾用LGD への展開」株式会社Kanazawa Diamond 代表取締役 小林 和樹 氏
「Organic Semiconductor Laser Diodes: Advancements, Challenges, and Prospects for Microdisplays」株式会社KOALA Tech 代表取締役 ファティマ ベンシュイク 氏
「GaN 系半導体からの光電子ビームで半導体製造技術の革新に挑むディープテックスタートアップ」株式会社Photo electron Soul 取締役 西谷 智博 氏
高橋先生追悼「高橋清先生を偲んで」千葉大学 名誉教授 吉川 明彦 先生（学振162 委員会元委員長）
12 月13 日（金）
「㈱C&A の単結晶ビジネスの歴史と、新規坩堝フリー単結晶育成技術を活かした㈱FOX への展開」株式会社C&A 代表取締役社長 鎌田 圭 氏
「ダイヤモンドの大型単結晶製作技術とデバイスへの展開」株式会社イーディーピー 代表取締役社長 藤森 直治 氏
「半導体レーザ先端技術と新事業の開拓：ＱＤレーザ社のケース」株式会社QD レーザ ファウンダー兼最高技術顧問 菅原 充 氏
「大学発ベンチャーの挑戦 − LaS の取り組み −」株式会社レーザーシステム 代表取締役社長 土内 彰 氏
「フォトニクスベンチャー創業から上場までの道のりと今後の展望」株式会社オキサイド 代表取締役会長 古川 保典 氏
「紫外光源メーカーとして歩んだ創業から今、そして将来への展望」株式会社クォークテクノロジー 代表取締役 中村 勝 氏
総括・閉会
第18回チュートリアル（2024.09.05-06）広島コンベンションホール（ハイブリッド開催）
ワイドギャップ半導体の結晶成長・評価・デバイスの最前線
9月5日(木)
会長挨拶、企画趣旨の説明
「ワイドギャップ酸化物半導体のデバイスに向けた進展」藤田静雄(京都大)
「高・超高耐圧SiCパワー半導体要素技術とデバイスの進展」米澤喜幸(産総研)
「GaN系電子デバイスの結晶成長と応用の最前線」本田善央(名大)
9月6日(金)
「半導体材料・デバイスにおけるXインフォマティクス」冨谷茂隆(奈良先端大)
「InGaN系の光学特性評価の基礎」山口敦史(金沢工大)
「窒化物半導体のMOVPE装置とエピ技術の歴史的発展」松本功 (名大)
「窒化物半導体の新しい伝導制御：分極ドーピングとトンネル接合」竹内哲也(名城大)
「窒化物半導体可視域VCSELの開発の最前線」濱口達史(三重大）
第17回研究会（2024.07.26）主婦会館（ハイブリッド開催）
GaN-HEMTデバイス技術の最新動向
「基地局用高周波GaN-HEMTの開発動向」小谷淳二（住友電気工業株式会社）
「GaN HEMTを用いた無線電力伝送とデバイス技術」分島彰男（熊本大学）
「GaNパワートランジスターの開発動向とアプリケーション」庄野健（トランスフォーム・ジャパン株式会社）
「GaN-HEMTの過電圧印加に対する挙動・破壊プロセス」齋藤渉（九州大学応用力学研究所）
「ScAlN/GaN系電子デバイスの研究進展」前田拓也（東京大学）
「N極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性」吉屋佑樹、星拓也、堤卓也*、杉山弘樹、中島史人（NTT先端集積デバイス研究所、*現職：大阪公立大学）
第16回研究会（2024.04.19）名駅プレミアホール＆会議室（ハイブリッド開催）
スパッタリングによる次世代薄膜技術の探索
「スパッタリングによる窒化物半導体成膜の現状と今後の可能性」藤岡洋、上野耕平（東京大学生産技術研究所）
「スパッタリングターゲットの製造技術と成膜事例」上岡義弘、召田雅実（東ソー株式会社）
「Sputter法によるGaN薄膜形成に向けたRadical assist Sputter Epitaxy技術の開発〜『SEGul-200』による量産展開」竹内将人、白井雅紀、築田宗一朗、小林宏樹（株式会社アルバック）
「ScAlNの強誘電体としての可能性」舟窪浩（東京工業大学）
「ITOスパッタ成膜の技術開発」石橋啓次（株式会社コメット）
第15回研究会（2024.03.01）コモレ四谷タワーコンファレンス（ハイブリッド開催）
次世代紫外光源
「超ワイドギャップ半導体光物性評価のための深紫外分光技術の現状と展望」石井良太、船戸充、川上養一（京都大学大学院工学研究科）
「成長表面の異なる深紫外AlGaN量子井戸の結晶成長と光物性」市川修平1, 2、船戸充3、川上養一3、上杉謙次郎4, 5、赤池良太4、中村孝夫6、三宅秀人6、小島一信1（1大阪大学大学院工学研究科、2大阪大学大学院超高圧電子顕微鏡センター、3京都大学大学院工学研究科、4三重大学研究基盤推進機構、5三重大学大学院地域イノベーション学研究科、6三重大学大学院工学研究科）
「遠紫外波長変換光源開発の進展：モノリシック微小共振器」片山竜二1、上向井正裕1、谷川智之1、南部誠明2、吉村政志2（1大阪大学大学院工学研究科、2大阪大学レーザー科学研究所）
「深紫外領域における波長変換デバイスの進展」松下智紀、井上振一郎（情報通信研究機構）
「深紫外LEDおよびLDを用いた応用と現状」吉川陽（旭化成株式会社）
「深紫外エキシマランプを用いた応用」平尾哲治（ウシオ電機株式会社）
第14回研究会（2023.12.14-15）沖縄サザンビーチホテル＆リゾート（ハイブリッド開催）
12月14日（木）
貼り合わせ（ハイブリッド）基板技術
「通電劣化を抑制する貼り合わせ基板SiCkrestの開発」小林元樹（（株）サイコックス）
「サファイア基板を用いた大口径ダイヤモンド基板の技術開発」金聖祐（Orbray）
「Propelling Widespread GaN Electronics Adoption With Large Diameter, Scalable and CMOS Fab-Friendly GaN-on-QST® Manufacturing Platform」V. Odnoblyudov (Qromis）ほか
12月15日（金）
光電融合技術、および化合物集積回路技術
「接合で半導体の付加価値を向上するCFB (R) ソリューション」谷川兼一（沖電気）
「Siプラットフォーム上へIII-V族半導体を集積するIII-V/Siハイブリッド光集積回路技術」八木英樹（住友電工）ほか
「Siプラットフォーム光電子融合集積回路を実現する異種材料融合技術の研究」松尾慎治 （NTT 先端集積デバイス研究所/物性科学基礎研）
ワイドギャップ半導体デバイスへの接合技術応用
「常温接合技術のデバイス応用」重川直輝（大阪公立大）ほか
「GaNとSiCを一体化したハイブリット型トランジスタの開発」原田信介（産総研）ほか
「高周波GaN-HEMTの高出力化に向けたダイヤモンド放熱技術」山田敦史 （富士通）ほか
第13回チュートリアル（2023.09.07-08）姫路キャッスルグランヴィリオホテル（ハイブリッド開催）
各種バルク材料の成長・合成の最前線
9月7日(木)
会長挨拶、企画主旨説明
「垂直ブリッジマン（VB）法とβ-Ga2O3単結晶育成」 太子敏則（信州大学）
「サファイア基板の進展と応用展開への取り組み」 村上健太（京セラ）
「AIを活用したSiC溶液成長技術の開発と今後の展望」 宇治原徹（名大）
「酸性アモノサーマル法によるGaN結晶成長」 三川豊（三菱ケミカル）
9月8日(金)
「Manufacturing 2” AlN and beyond: the road to 4” AlN substrates」 Dr. Jamey Grandusky（Crystal-IS）
「昇華法によるSiC結晶成長の現状と欠陥制御技術」 江藤数馬（産総研）
「高温ガス成長法によるSiC 結晶成長の高速化と高品質化」 神田 貴裕 (ミライズテクノロジーズ)
「超高圧力を利用した透明ナノセラミックスの合成」 入舩徹男（愛媛大学）
「六方晶窒化ホウ素の新しい機能の発現と応用研究への展望」 渡邊賢司(物材機構)
「低転位密度・高深紫外光透過率AlN基板の気相成長」 熊谷義直(農工大)
「HVPE法によるバルクGaN成長技術」 藤倉序章(住友化学)
材料の特長を生かしたパワーデバイス開発の最新動向
「SBD 内蔵SiC-MOSFET の開発状況」川原洸太朗（三菱電機株式会社）
「ゲート ドライバを集積したSiCパワーIC の開発」岡本光央（産業技術総合研究所）
「トレンチ埋め戻しエピ法によるSiC-SJ-MOSFET 開発」染谷満（産業技術総合研究所）
「Mg イオン注入により作製した縦型GaN デバイス開発」加地徹（名古屋大学）
「高移動度と高信頼性を両立した横型GaN デバイスの開発」梶原瑛祐（東芝）
「β-Ga2O3 を用いたパワーデバイスの開発状況」佐々木公平（ノベルクリスタルテクノロジー）
「2DHG を用いたダイヤモンドパワー高周波FETの開発状況」川原田洋（早稲田大学）
第11回研究会（2023.05.19）TKPガーデンシティ仙台勾当台（ハイブリッド開催）
ワイドギャップ半導体に対する最先端の構造・欠陥評価技術の現状
（午前）
Nano Terasu見学 https://www.nanoterasu.jp/
（午後）
「次世代放射光施設Nano Terasuが拓く、新次元の半導体評価技術」高田昌樹（東北大学）
「放射光による結晶成長フロントの精密評価」高橋正光（量子科学技術研究開発機構）
「放射光計測に立脚した新原理モットトランジスタの開発」組頭広志（東北大学）
「硬X線光電子分光法による窒化物半導体の評価」水島啓貴（ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社）
「放射光ナノビームX線回折による窒化物半導体結晶・デバイスの構造評価」酒井朗1、藤平哲也1、林侑介1、隅谷和嗣2、今井康彦2、木村滋2（1 大阪大学、2 JASRI）
第10回研究会（2023.03.03）オンライン
テラヘルツ・高周波デバイスの進展・新技術とB5G/6G無線通信へ向けた展望
「次世代移動通信システム（Beyond 5/6G）におけるテラヘルツ無線への期待」寳迫 巌 （NICT)
「次世代無線通信に向けた課題と取り組み」谷口理（ソニーグループ）
「テラヘルツ帯共鳴トンネルダイオードの進展と展望」鈴木左文、浅田雅洋（東工大）
「THz-QCLの進展と今後の展望 ～高出力化、室温発振に向けて～」平山秀樹（理研）
「中赤外QCL及び室温THzレーザーの進展と応用」藤田和上（浜松フォトニクス）
第９回研究会（2022.12.15-16）金沢商工会議所（ハイブリッド開催）
バルク欠陥・MOS界面の制御・評価、その電子デバイス特性に与える影響
12月15日
「SiC MOSFETからみた界面特性への欠陥影響」野口宗隆（三菱電機）
「WBGパワーMOSFETのチャネル抵抗低減に向けた取り組み」富田英幹（ミライズテクノロジーズ）
「III-V半導体のMIS界面評価-GaN界面は従来のIII-V半導体界面と違いがあるか？-」橋詰保（名古屋大学、北海道大学）
「酸化アニールを用いた酸化ガリウムのMOS界面形成プロセス」喜多浩之（東京大学）
「ダイヤモンドMOS界面の進展」徳田規夫（金沢大学）
12月16日
「シリコン(Si)中のバルク欠陥とパワーデバイスへの影響」山本秀和（千葉工大）
「SiC中点欠陥およびMOS界面欠陥とデバイスへの影響」梅田享英（筑波大学）
「GaN点欠陥が形成するトラップの評価」須田淳、堀田昌宏 （名古屋大学）
「点欠陥制御によるn-AlGaN低抵抗化と紫外LED特性への影響」齋藤 義樹、永田 賢吾（豊田合成）
「光熱偏向分光法によるIII-V族窒化物半導体の評価」角谷正友（NIMS）
第８回研究会［チュートリアル］（2022.10.06-07）ウインクあいち（ハイブリッド開催）
チュートリアル講演：ワイドギャップ半導体光・電子デバイスの最前線
10月6日
「半導体材料開発の新機軸～プロセス・インフォマティクス～」寒川義裕（九大）
「窒化物半導体の結晶成長と光物性」船戸充（京大）
「AlGaN結晶成長と紫外発光素子」岩谷素顕（名城大）
「ディスプレイ応用を目指した窒化物RGB マイクロLED開発の現状」大川和宏（KAUST）
10月7日
「縦型GaNパワー半導体作製プロセスにおけるエピ・基板の欠陥制御」成田哲生（豊田中研）
「GaNパワー半導体の課題と最新研究動向」須田淳（名大）
「SiC-MOSFET高性能化・高信頼化の進展」岩室憲幸（筑波大）
「酸化ガリウムの物性と電子デバイス応用」東脇正高（大阪公立大）
「高周波化合物半導体FETの基礎および最近の動向」葛原正明（関西学院大）
第７回研究会（2022.07.22）オンライン
ダイヤモンドNVセンタとそのデバイス応用（量子計測・センシング・イメージング）
「ダイヤモンドNV中心の基礎と応用」 水落憲和（京都大学）
「プラズマCVD法を用いたダイヤモンドNVセンタの形成とその電荷状態制御」加藤宙光（産業技術総合研究所）
「ダイヤモンドの超高圧合成技術と、ダイヤNVセンサ応用への期待」寺本三記（住友電工）
「SiC中単一光子源およびスピン欠陥の特長とその応用展望」山崎雄一（量子科学技術研究開発機構）
「ダイヤモンドNV中心のスピントロニクス応用」安東秀（北陸先端科学技術大学院大学）
「ＮＶダイヤモンドを応用した単一細胞計測ナノバイオ・プローバ」高口雅成（日立製作所）
第６回研究会（2022.05.20）主婦会館プラザエフ（ハイブリッド開催）
超高出力レーザの最新の進展～加工・原子核物理学への挑戦～
「パワーレーザ・高エネルギー密度科学の課題と展望（仮）」兒玉了祐（大阪大学）
「エネルギー科学におけるレーザプロセッシングの課題と展望―NEDOレーザープロジェクト成果よりー（仮）」田丸博晴（東京大学）
「加工用青色高出力レーザーの開発とレーザー加工応用（仮）」大野啓（パナソニック）
「注入同期型 高出力CW InGaNレーザの開発（仮）」時田茂樹（阪大レーザ研）
「VCSELおよびEELむけトンネル接合の最新の進展(仮)」竹内哲也（名城大学）
「高性能EELおよびVCSELの最新の進展(仮)」中津嘉隆（日亜化学）
「凹面鏡型VCSELの最新の進展(仮)」濱口達史（ソニーグループ）
パネル討論「窒化物VCSELの効率はどこまで上がるか？」
第５回研究会（2022.03.11）オンライン
ワイドギャップ材料に対する不純物ドーピング制御とその評価技術の現状
「ウルトラワイドギャップ窒化物半導体の電気伝導制御」谷保芳孝、平間一行、廣木正伸、江端一晃、熊倉一英（NTT物性科学基礎研究所）
「超高圧アニールで活性化したMgイオン注入p型GaNの電気的特性」須田淳1、加地徹2（1名古屋大学大学院工学研究科、2名古屋大学未来材料・システム研究所）
「ハライド気相成長法によるp型GaNの実現と縦型p-n接合ダイオード作製」新田州吾1、大西一生2、本田善央1、天野浩1, 3, 4（1名古屋大学未来材料・システム研究所、2名古屋大学大学院工学研究科、3名古屋大学赤﨑記念研究センター、4名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー）
「ダイヤモンド半導体の伝導性制御」小倉政彦（産業技術総合研究所）
「新しい超ワイドバンドギャップp型半導体の開拓」金子健太郎（京都大学大学院工学研究科）
第４回研究会（2021.12.09-10）オンライン
12/9「窒化物赤色発光素子の新展開」
「半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 Eu添加 GaN赤色 LEDの新展開～」藤原康文、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤（大阪大学大学院工学研究科）
「InGaN量子井戸赤色マイクロ LEDの開発」大川和宏、飯田大輔、庄喆（King Abdullah University of Science and Technology）
「高効率赤色 LED実現のための Inリッチ InGaN/ScAlMgO4の設計および作製 」船戸充、川上養一（京都大学大学院工学研究科）
「 InGaNナノコラムにおけるナノ結晶効果と表面プラズモン結合を用いた赤色発光増強技術 」大音隆男1、岡本晃一2、富樫理恵3,4、岸野克巳4 （1山形大学大学院理工学研究科、2大阪府立大学大学院工学研究科、3上智大学理工学部、4上智大学ナノテクノロジー研究センター）
パネルディスカッション：パネリスト： 市川修平（ 大阪大）、大川和宏（ KAUST）、 大音隆男（山形大）、小島孝広（オキサイド）、八木哲也（日亜化学）／モデレーター 濱口 達史（ソニーグループ）
12/10「深紫外発光素子の新展開と応用展望」
「格子緩和した中間 Al組成 AlGaNを用いた UV-B半導体レーザの作製」岩谷素顕1、岩山章1,2、竹内哲也1、上山智1、三宅秀人2（1名城大学大学院理工学研究科、2三重大学大学院地域イノベーション学研究科）
「最短波長 UVC-LD の実現とその周辺技術 」久志本真希1、張梓懿2,3、本田善央2、レオショーワルター2、笹岡千秋2、天野浩2（1名古屋大学工学研究科、2名古屋大学未来材料システム研究所、3旭化成株式会社）
「高出力 UVC-LEDの進展と応用への展望」井上振一郎（国立研究開発法人情報通信研究機構未来 ICT研究所）
「高温アニール AlNテンプレートを用いた UV-C LEDの開発」上杉謙次郎1,2、窪谷茂幸1、中村孝夫2,4、久保雅敬3、三宅秀人2,3（1三重大学地域創生戦略企画室、2三重大学大学院地域イノベーション学研究科、3三重大学大学院工学研究科、4東京大学生産技術研究所）
「波長変換を用いた遠紫外全固体光源開発」片山竜二（大阪大学大学院工学研究科）
「岩塩構造 MgZnOの200nm発光、Far-UVへの展望」尾沼猛儀（工学院大学先進工学部応用物理学科、工学院大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻）
「人体にやさしいウイルス対応 230nm帯 LEDの開発 」久世直洋（旭化成株式会社先端デバイス技術開発センター）
第３回研究会［設立記念シンポジウム］（2021.10.07-08）オンライン
ワイドギャップ半導体の光デバイス・電子デバイスの進展と今後の期待
特別記念講演「面発光レーザーの進展：Wide, Fast, Array」伊賀健一（東京工業大学）
「量子ドットレーザと非古典光源の進展 ～窒化物半導体への展開～」荒川泰彦（東京大学）
「フォトニック結晶レーザーの進展：スマートモビリティ、スマート製造のパラダイムシフトを目指して」野田進（京都大学）
「InGaN/GaN系ナノコラム発光デバイス」岸野克巳（上智大学）
「プラズマプロセスによる大面積ワイドギャップ半導体素子の可能性」藤岡洋、上野耕平、小林篤（東京大学）
「窒化物半導体VCSEL」長井仁史、寺尾顕一、森田大介、枡井真吾、柳本友弥、長濱慎一（日亜化学工業(株)）
「ソニーの半導体レーザ製品・技術開発への取り組み」前田修（ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)）
「ワイドギャップ酸化物半導体の特徴と応用」 細野秀雄（東京工業大学）
「超ワイドバンドギャップ酸化物半導体の光・電子物性」藤田静雄（京都大学）
「カーボンニュートラルへの取組みとパワーデバイスへの期待」橋本雅人（トヨタ自動車(株)）
「ハライドペロブスカイト半導体の光電変換特性と高電圧出力の開発」宮坂力（桐蔭横浜大学）
「SiC半導体の学理 - 科学のメスはどこまで入っているのか」木本恒暢（京都大学）
「電気自動車BEVへの採用が本格化するSiCパワー半導体」伊野和英（ローム(株)）
「無線通信用高周波高出力GaN-HEMTの開発」小林正宏 （住友電気工業(株)）
「窒化物半導体を用いた発光シンセサイザー創成を目指して」川上養一、松田祥伸、石井良太、船戸充（京都大学）
「如何に投資を呼び込むか？WideGと研究者の役割」天野浩、山口淳（名古屋大学）
第２回研究会（2021.07.16）オンライン
SiC, GaNパワーデバイスの進展とシステム応用
「SiCパワーデバイスの進展と車載応用」鶴田和弘（(株)ミライズテクノロジーズ）
「SiCパワーデバイスの進展と社会実装」大井健史（三菱電機(株)）
「加速器におけるSiCデバイス」中村衆、明本光夫、岡村勝也、杉本拓也、内藤孝、内藤富士雄、中島啓光（高エネルギー加速器研究機構）
「縦型GaNパワーデバイスの開発状況」岡徹（豊田合成(株)）
「車載グレード650V耐圧GaNパワートランジスタの開発と、900V耐圧への道」庄野健1、細田勉1、今西健治1、浅井祥守1、Primit Parikh 2、Ron Barr 2、Peter Smith 2、Steven Wienecke 2（1トランスフォームジャパン(株)、2 Transphorm Inc.）
「次世代自動車におけるパワーエレクトロニクス機器の1kV化技術動向とそこに求められるワイドバンドギャップパワー半導体応用技術」山本真義（名古屋大学）
第１回研究会（2021.05.14）オンライン
ＷＢＧ材料のバルク結晶成長とウェハ化技術
「SiCバルク結晶成長およびウェハ加工技術の進展」大谷昇（関西学院大学）
「機械学習を用いたSiCバルク結晶成長の高度化」宇治原徹（名古屋大学）
「酸性アモノサーマル法による大口径高品質GaN結晶成長」三川豊1、石鍋隆幸1、鏡谷勇二1、包全喜2、栗本浩平2、嶋紘平3、小島一信3、石黒徹3、秩父重英3（1三菱ケミカル(株)、2(株)日本製鋼所、3東北大学）
「大口径・高品質GaN基板の実現に向けたNaフラックス法の進展」守山実希、藤森拓、浅見慎也、山崎史郎、永井誠二（豊田合成(株)）
「EFG法によるβ-Ga2O3バルク結晶育成と４インチ径エピウェハ製造」倉又朗人（(株)ノベルクリスタルテクノロジー）
「垂直ブリッジマン法によるβ-Ga2O3バルク単結晶育成技術の提案とその進展」干川圭吾1、小林壮1、大葉悦子2、小林拓実2（1信州大学、2不二越機械工業(株)）