研究会プログラム

設立記念シンポジウム(2021.10.07-08)オンライン

ワイドギャップ半導体の光デバイス・電子デバイスの進展と今後の期待

  • 特別記念講演「面発光レーザーの進展:Wide, Fast, Array」伊賀健一(東京工業大学)

  • 「量子ドットレーザと非古典光源の進展 ~窒化物半導体への展開~」荒川泰彦(東京大学)

  • 「フォトニック結晶レーザーの進展:スマートモビリティ、スマート製造のパラダイムシフトを目指して」野田進(京都大学)

  • 「InGaN/GaN系ナノコラム発光デバイス」岸野克巳(上智大学)

  • 「プラズマプロセスによる大面積ワイドギャップ半導体素子の可能性」藤岡洋、上野耕平、小林篤(東京大学)

  • 「窒化物半導体VCSEL」長井仁史、寺尾顕一、森田大介、枡井真吾、柳本友弥、長濱慎一(日亜化学工業(株))

  • 「ソニーの半導体レーザ製品・技術開発への取り組み」前田修(ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))

  • 「ワイドギャップ酸化物半導体の特徴と応用」 細野秀雄(東京工業大学)

  • 「超ワイドバンドギャップ酸化物半導体の光・電子物性」藤田静雄(京都大学)

  • 「カーボンニュートラルへの取組みとパワーデバイスへの期待」橋本雅人(トヨタ自動車(株))

  • 「ハライドペロブスカイト半導体の光電変換特性と高電圧出力の開発」宮坂力(桐蔭横浜大学)

  • 「SiC半導体の学理 - 科学のメスはどこまで入っているのか」木本恒暢(京都大学)

  • 「電気自動車BEVへの採用が本格化するSiCパワー半導体」伊野和英(ローム(株))

  • 「無線通信用高周波高出力GaN-HEMTの開発」小林正宏 (住友電気工業(株))

  • 「窒化物半導体を用いた発光シンセサイザー創成を目指して」川上養一、松田祥伸、石井良太、船戸充(京都大学)

  • 「如何に投資を呼び込むか?WideGと研究者の役割」天野浩、山口淳(名古屋大学)

第2回研究会(2021.07.16)オンライン

SiC, GaNパワーデバイスの進展とシステム応用

  • 「SiCパワーデバイスの進展と車載応用」鶴田和弘((株)ミライズテクノロジーズ)

  • 「SiCパワーデバイスの進展と社会実装」大井健史(三菱電機(株))

  • 「加速器におけるSiCデバイス」中村衆、明本光夫、岡村勝也、杉本拓也、内藤孝、内藤富士雄、中島啓光(高エネルギー加速器研究機構)

  • 「縦型GaNパワーデバイスの開発状況」岡徹(豊田合成(株))

  • 「車載グレード650V耐圧GaNパワートランジスタの開発と、900V耐圧への道」庄野健1、細田勉1、今西健治1、浅井祥守1、Primit Parikh 2、Ron Barr 2、Peter Smith 2、Steven Wienecke 2(1トランスフォームジャパン(株)、2 Transphorm Inc.)

  • 「次世代自動車におけるパワーエレクトロニクス機器の1kV化技術動向とそこに求められるワイドバンドギャップパワー半導体応用技術」山本真義(名古屋大学)

第1回研究会(2021.05.14)オンライン

WBG材料のバルク結晶成長とウェハ化技術

  • 「SiCバルク結晶成長およびウェハ加工技術の進展」大谷昇(関西学院大学)

  • 「機械学習を用いたSiCバルク結晶成長の高度化」宇治原徹(名古屋大学)

  • 「酸性アモノサーマル法による大口径高品質GaN結晶成長」三川豊1、石鍋隆幸1、鏡谷勇二1、包全喜2、栗本浩平2、嶋紘平3、小島一信3、石黒徹3、秩父重英3(1三菱ケミカル(株)、2(株)日本製鋼所、3東北大学)

  • 「大口径・高品質GaN基板の実現に向けたNaフラックス法の進展」守山実希、藤森拓、浅見慎也、山崎史郎、永井誠二(豊田合成(株))

  • 「EFG法によるβ-Ga2O3バルク結晶育成と4インチ径エピウェハ製造」倉又朗人((株)ノベルクリスタルテクノロジー)

  • 「垂直ブリッジマン法によるβ-Ga2O3バルク単結晶育成技術の提案とその進展」干川圭吾1、小林壮1、大葉悦子2、小林拓実2(1信州大学、2不二越機械工業(株))