特別公開シンポジウム
チュートリアル講演
「ワイドギャップ半導体の結晶成長・評価・デバイスの最前線」
一般社団法人ワイドギャップ半導体学会（WideG）は、日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」における活動を継承し、さらに発展させるために設立された産・官・学の会員から構成される組織です。本会では、年4回のクローズドな研究会に加え特別事業として一般公開企画を行っています。本年の特別事業として、ワイドギャップ半導体の結晶成長・評価・デバイスの基礎から最先端を理解することができる1講演80分（質疑を含む）のチュートリアル講演による特別公開シンポジウムを開催することになりました。奮ってご参加ください。
日程：令和６年９月５日（木）～６日（金）
開催方法：ハイブリッド開催（広島コンベンションホール／zoom）
世話人：関口寛人（豊橋技科大）、船戸充（京都大）、岡田成仁（山口大）
問い合わせ先：（一社）ワイドギャップ半導体学会事務局 secretary<at>widegap.org
Program
9月5日(木)
会長挨拶、企画趣旨の説明
「ワイドギャップ酸化物半導体のデバイスに向けた進展」藤田静雄(京都大)
「高・超高耐圧SiCパワー半導体要素技術とデバイスの進展」米澤喜幸(産総研)
「GaN系電子デバイスの結晶成長と応用の最前線」本田善央(名大)
9月6日(金)
「半導体材料・デバイスにおけるXインフォマティクス」冨谷茂隆(奈良先端大)
「InGaN系の光学特性評価の基礎」山口敦史(金沢工大)
「窒化物半導体のMOVPE装置とエピ技術の歴史的発展」松本功 (名大)
「窒化物半導体の新しい伝導制御：分極ドーピングとトンネル接合」竹内哲也(名城大)
「窒化物半導体可視域VCSELの開発の最前線」濱口達史(三重大）
下記プライバシーポリシーに同意の上、お申込みください。
WideG会員（産業界会員（同伴者を含む）、賛助会員、学界会員、功労会員）：無料
非会員（一般）：現地参加 23,000 円、オンライン参加 20,000円（不課税）
非会員（学生）：現地参加 8,000 円、オンライン参加 5,000円（不課税）（※参加費支援あり）
参加申込サイトにて、懇親会の申込も受け付けております。
懇親会：9月5日（木）研究会終了後に会場内「SUZU CAFE hiroshima」会員2,000円、非会員5,000円
宿泊：現地参加される方は各自でホテルを確保ください。
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