特別公開シンポジウム

チュートリアル講演

「ワイドギャップ半導体光・電子デバイスの最前線」

一般社団法人ワイドギャップ半導体学会(WideG)は、日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」における活動を継承し、さらに発展させるために設立された産・官・学の会員から構成される組織です。本会では、年4回のクローズドな研究会に加え特別事業として一般公開企画を行っています。本年の特別事業として、ワイドギャップ半導体の基礎から最先端を理解することができる1講演90分(質疑を含む)のチュートリアル講演による特別公開シンポジウムを開催することになりました。奮ってご参加ください。

  • 日程:令和4年10月6日(木)~7日(金)

  • 開催方法:ハイブリッド開催(ウインクあいち/zoom)

世話人:岩谷素顕(名城大学)、関口寛人(豊橋技科大)
問い合わせ先:(一社)ワイドギャップ半導体学会事務局 secretary<at>widegap.org

Program

10月6日(木)

会長挨拶、企画趣旨の説明

「半導体材料開発の新機軸~プロセス・インフォマティクス~」寒川義裕(九大)

「窒化物半導体の結晶成長と光物性」船戸充(京大)

「AlGaN結晶成長と紫外発光素子」岩谷素顕(名城大)

「ディスプレイ応用を目指した窒化物RGB マイクロLED開発の現状」大川和宏(KAUST)

10月7日(金)

「縦型GaNパワー半導体作製プロセスにおけるエピ・基板の欠陥制御」成田哲生(豊田中研)

「GaNパワー半導体の課題と最新研究動向」須田淳(名大)

「SiC-MOSFET高性能化・高信頼化の進展」岩室憲幸(筑波大)

「酸化ガリウムの物性と電子デバイス応用」東脇正高(大阪公立大)

「高周波化合物半導体FETの基礎および最近の動向」葛原正明(関西学院大)

  • 下記プライバシーポリシーに同意の上、お申込みください。

  • WideG会員(産業界会員(同伴者を含む)、賛助会員、学界会員、功労会員):無料

  • 非会員(一般):現地参加 23,000 円、オンライン参加 20,000円(不課税)

  • 非会員(学生):現地参加 8,000 円、オンライン参加 5,000円(不課税)(※参加費支援あり)

(※)窒化物半導体及び関連材料の結晶成長、評価、デバイス応用の理解と最先端技術の新たな発展、さらには知識の普及に資することを目的として、ナイトライド基金より学生参加費を支援いたします。参加費支援の採否は後日連絡いたします。
  • 現地参加の非会員(一般)と学生の定員は50名です。現地参加をご希望の方はお早目にご登録ください。

  • コロナ感染症の状況によってオンライン開催のみとなることがございます。

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