特別公開シンポジウム
チュートリアル講演
「各種バルク材料の成長・合成の最前線」
一般社団法人ワイドギャップ半導体学会（WideG）は、日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」における活動を継承し、さらに発展させるために設立された産・官・学の会員から構成される組織です。本会では、年4回のクローズドな研究会に加え特別事業として一般公開企画を行っています。本年の特別事業として、各種バルク材料の成長および合成技術の基礎から最先端を理解することができる1講演60分（質疑を含む）のチュートリアル講演による特別公開シンポジウムを開催することになりました。奮ってご参加ください。
日程：令和５年９月７日（木）～８日（金）
開催方法：ハイブリッド開催（姫路キャッスルグランヴィリオホテル／zoom）
世話人：関口寛人（豊橋技科大）、岡田成仁（山口大）
問い合わせ先：（一社）ワイドギャップ半導体学会事務局 secretary<at>widegap.org
Program
9月7日(木)
会長挨拶、企画主旨説明
「垂直ブリッジマン（VB）法とβ-Ga2O3単結晶育成」 太子敏則（信州大学）
「サファイア基板の進展と応用展開への取り組み」 村上健太（京セラ）
「AIを活用したSiC溶液成長技術の開発と今後の展望」 宇治原徹（名大）
「酸性アモノサーマル法によるGaN結晶成長」 三川豊（三菱ケミカル）
9月8日(金)
「Manufacturing 2” AlN and beyond: the road to 4” AlN substrates」 Dr. Jamey Grandusky（Crystal-IS）
「昇華法によるSiC結晶成長の現状と欠陥制御技術」 江藤数馬（産総研）
「高温ガス成長法によるSiC 結晶成長の高速化と高品質化」 神田 貴裕 (ミライズテクノロジーズ)
「超高圧力を利用した透明ナノセラミックスの合成」 入舩徹男（愛媛大学）
「六方晶窒化ホウ素の新しい機能の発現と応用研究への展望」 渡邊賢司(物材機構)
「低転位密度・高深紫外光透過率AlN基板の気相成長」 熊谷義直(農工大)
「HVPE法によるバルクGaN成長技術」 藤倉序章(住友化学)
下記プライバシーポリシーに同意の上、お申込みください。
WideG会員（産業界会員（同伴者を含む）、賛助会員、学界会員、功労会員）：無料
非会員（一般）：現地参加 23,000 円、オンライン参加 20,000円（不課税）
非会員（学生）：現地参加 8,000 円、オンライン参加 5,000円（不課税）（※参加費支援あり）
参加申込サイトにて、懇親会、宿泊の申込も受け付けております。
懇親会：9月7日（木）研究会終了後「姫路キャッスルグランヴィリオホテル」会員5,000円、非会員7,000円
宿泊：「姫路キャッスルグランヴィリオホテル」シングル利用：7,900円（朝食付、税込）
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