設立記念シンポジウム

WideG 設立記念シンポジウム

「ワイドギャップ半導体の光デバイス・電子デバイスの進展と今後の期待」

一般社団法人ワイドギャップ半導体学会(WideG)は、日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」における活動を継承し、さらに発展させるために設立された産・官・学の会員から構成される組織であり、令和3年4月に発足しました。その設立記念シンポジウムを開催します。本シンポジウムの開催の目的は、ワイドギャップ半導体材料における光デバイス・電子デバイスおよびその基盤技術である結晶成長・物性評価の第一人者の研究者に現状および今後の期待に関して講演していただき、今後のこの分野の将来を俯瞰することにあります。是非、ご参加いただければと思います。

  • 日程:令和3年10月7日(木)~8日(金)

  • 開催方法:オンライン開催

  • 参加費:WideG会員:無料/非会員(一般):20,000 円/学生:5,000 円

世話人:岩谷素顕(名城大学)
問い合わせ先:(一社)ワイドギャップ半導体学会事務局 secretary<at>widegap.org

Program

10月7日

10:00 – 10:30 会長挨拶、企画趣旨の説明 

10:30 – 11:30 伊賀 健一(東工大)特別記念講演「面発光レーザーの進展:Wide, Fast, Array」

11:30 – 12:45 昼食休憩

12:45 – 13:35 荒川 泰彦(東大)「量子ドットレーザと非古典光源の進展~窒化物半導体への展開~」
13:35 – 14:20 野田 進 (京大)「フォトニック結晶レーザーの進展:スマートモビリティ、スマート製造のパラダイムシフトを目指して」
14:20 – 15:15 岸野 克巳(上智大)「InGaN/GaN系ナノコラム発光デバイス-マイクロLED/レーザディスプレイへの課題-」

15:15 – 15:30 休憩

15:30 – 16:20 藤岡 洋 (東大)「プラズマプロセスによる大面積ワイドギャップ半導体素子の可能性」
16:20 – 17:05 長井 仁史(日亜化学)「窒化物半導体VCSEL」
17:05 – 17:50 前田 修 (SONY)「ソニーの半導体レーザ製品・技術開発への取り組み」

10月8日

09:00 – 09:50 細野 秀雄(東工大)「ワイドギャップ酸化物半導体の特徴と応用」
09:50 – 10:40 藤田 静雄(京大)「超ワイドバンドギャップ酸化物半導体の光・電子物性」
10:40 – 11:25 橋本 雅人(トヨタ自動車)「カーボンニュートラルへの取組みとパワーデバイスへの期待」

11:25 – 12:45 昼食休憩

12:45 – 13:35 宮坂 力 (桐蔭横浜大)「ペロブスカイト半導体太陽電池の高効率化と今後の展開」
13:35 – 14:20 木本 恒暢(京大)「SiC半導体の学理 - 科学のメスはどこまで入っているのか」
14:20 – 15:10 伊野 和英(ローム)「電気自動車BEVへの採用が本格化するSiCパワー半導体」

15:10 – 15:25 休憩

15:25 – 16:10 小林 正宏(住友電工)「高周波GaNデバイスの開発」
16:10 – 17:00 川上 養一(京大)「窒化物半導体を用いた発光シンセサイザー創成を目指して」
17:05 – 17:50 天野 浩 (名大)「如何に投資を呼び込むか!WideGと研究者の役割」

17:50 – 18:00 クロージング

  • 下記プライバシーポリシーに同意の上、お申込みください。

  • WideG会員(産業界会員(同伴者を含む)、賛助会員、学界会員、功労会員):無料

  • 非会員(一般):20,000円(不課税)

  • 非会員(学生):5,000円(不課税)(※参加費支援あり)

(※)窒化物半導体及び関連材料の結晶成長、評価、デバイス応用の理解と最先端技術の新たな発展、さらには知識の普及に資することを目的として、ナイトライド基金より学生参加費を支援いたします。参加費支援の採否は後日連絡いたします。

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